電子束技術聯盟「eBeam創始計畫(eBeam Initiative)」將於近日公布最新的技術藍圖，其中包括如何提升 20奈米與 14奈米晶圓製程良率的具體方法；該創始計畫的目的是改善光罩精確度與寫入時間，同時降低電子束微影技術的光罩成本。
eBeam創始計畫表示，在28奈米與20奈米以下邏輯製程節點，光罩規格通常在線寬上低於80奈米，讓維持光罩精準度與晶圓良率的困難度升高；也因為如此，光罩臨界尺寸(critical dimension，CDU)的一致性成為越來越重要的議題。該創始計畫參與成員正在導入包括光罩製程修正(mask process correction，MPC)等等電子束技術，以打造一個有效的生態系統。
「28奈米製程節點以及20奈米以下製程節點的兩個最大的光罩製作挑戰，就是精確度與發數(shot count)；」eBeam創始計畫的管理級贊助成員D2S執行長Aki Fujimura表示：「光罩製作商必須持續在對於可達成高晶圓良率的光罩精準度需求，以及達成高精準度會產生的較長寫入時間、較高成本之間達成平衡。」
eBeam創始計畫的最新聲明並指出，也是該計畫成員之一的電子束微影技術供應商JEOL，已經開始接受可改善光罩CDU的客戶訂單；「無論半導體產業是將在可見的未來持續推進光學微影技術的極限，或是將轉移至EUV微影技術，提升光罩精確度都是達成高晶圓良率的關鍵。」JEOL的SE業務部門總經理Wataru Wakamiya表示。
在2012年及未來，eBeam創始計畫成員將持續證明電子束技術的進展與可用性；該創始計畫將於2月12日至16日於美國舉行的SPIE先進微影技術研討會(SPIE Advanced Lithography Symposium)上發表最新技術藍圖，並發表一篇技術白皮書(MB-MDP Enables Circular Shots to Improve Mask Accuracy As Well As Shot Count，將同時刊登於該計畫官網)。
此外eBeam創始計畫也將於SPIE會議上展示其成員 CEA-Leti 與Tela Innovations採用光學與電子束之複合式微影技術研發成果。
參考原文：E-beam Initiative ready with updated roadmap，by Nicolas Mokhoff